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半导体设备由于使用的频率较高，并要求有一定的线性度，在使用机械式继电器的时候容易受寿命的影响，同时由于晶体管耦合器或双向可控硅耦合器的输出侧单元所具线性度较低，所以在输出之间通过的信号会发生失真；
MOS FET继电器与晶体管耦合器或双向可控硅耦合器不同，可通过与机械式继电器相匹配的超群线性度特性，有效抑制信号的失真；可控制模拟信号，所以最适用于测试器、测量设备等，因此，MOS FET继电器可以完美的配合机械式继电器使用，也可以替代传统的光耦和可控硅产品；
MOS FET继电器通过极小电流即可运行，可为设备的节电作贡献，在达到使用寿命后，输出电流不会像晶体管耦合器那样下降，稳定的低电流有助于节能；
晶体管耦合器在增大输入侧电流时，输出侧电流也会变大，所以与MOS FET继电器相比，会消耗更多的电力。LED老化会使输出也跟随减弱，由此需要更多的电力；
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